三星10纳米FinFET技术旧金山展出区域

三星电子（Samsung Electronics Co.）开发制程技术的速度实在不容小觑。三星才刚在数个月前开始为移动设备市场研发 14 纳米 FinFET 系统单芯片（SoC），并打算将这些 SoC 应用在三星自身的 Galaxy S6、Galaxy S6 Edge 智能，连苹果（Apple Inc.）A9 处理器传出也有机会采用三星制程。

虽然14 纳米制程已是相当新颖的科技，但三星却还是马不停蹄，近日已在旧金山展示了全球首见专为移动设备设计的10 纳米 FinFET 半导体制程，惊艳全场。

VR- Zone、G 4 Games 25 日引述 ZDNet Korea 报导，三星电子在旧金山于 2 月 日举办的国际固态电路会议（International Solid State Circuit Conference，ISSCC）上展示了全球首见的 10 纳米 FinFET 半导体制程，有望抢在英特尔（Intel Corp.）之前制造出第一款 10 纳米行动芯片组。

三星电子半导体事业部总裁 Kim Ki-nam 在展场中表示，采用 10 纳米 FinFET 制程技术的芯片不但更加省电、体积也更小，是物联（Internet of Things，IoT）演化进程中相当重要的一步。除了 10 纳米制程技术之外，Kim 也谈论了10纳米的DRAM与 D V-NAND 科技。

根据报导，目前还无法确定消费性电子产品何时才会导入这种最新的半导体制程技术，也许要到 2017 年才有可能。

三星是第一家导入14 纳米制程技术的芯片业者，今年推出了14 纳米的 Exynos 7420 处理器，击败竞争对手。高通（Qualcomm）的最新 Snapdragon 810 处理器采用的仍是 20 纳米制程技术。

日本苹果情报站 iPhone Mania 1 月 15 导，熟知苹果动向的凯基证券（KGI Securities）发表研究报告指出，苹果将在今后 1 年或 2 年内在 Mac 笔电上搭载自家行动处理器 A10X ；A10X 将采用 10 纳米 FinFET，预计于2016年量产，将由三星吃下100%订单。