中国IR推出20V至30V的全新Strong

IR推出20V至30这样做的目的只有一个V的全新 StrongIRFET系列，为高性能运算和通信应用提供极低导通电阻

IRL6283M采用超薄的30 mm2中罐式DirectFET封装，导通电阻典型值只有500 Ω，可大幅降低传导损耗，因而非常适合动态ORing和电子保险丝 (eFuse) 应用。新器件可使用3.3V、5V或12V的电源轨操作，在20A电流和同样的30 mm2尺寸的封装中，可比同类最佳PQFN器件降低15%的损耗，使设计人员能够在大电流应用内减少器件数量。

IR亚太区销售副总裁潘大伟表示：“StrongIRFET系列经过扩充后，能够满足市场对动态ORing和电子保险丝的高效开关的需求。全新IRL6283M在高性能封装内提供行业领先的导通电阻，从而实现无可比拟的功率密度。”

与DirectFET系列的其它器件一样，IRL6283M可提供有效增强电气性能和热性能的顶侧冷却功能，以及旨在提高可靠性的无键合线设计。此外，DirectFET封装符合电子产品有害物质管制规定 (RoHS) 的所有要求，例如完全不含铅的物料清单可适合长生命周期的设计。同类的高性能封装包含高铅裸片，虽然符合电子产品有害物质管制规定第7(a) 项豁免条款，但这项豁免将于2016年到期。

规格

器件编号电压最高 VGS封装电流导通电阻 (典型/最高)认证级别额定值(V)(V)(A)10V 4.5V2.5VIRL6283M2012DirectFET MD211.50/.75.65/.871.1/1.5工业IRFHPQFN 5x6B100*.80/.951.20/1.60不适用IRFH8202.90/1.051.40/1.85IRFH830330.90/1.101.30/1.70IRFH83071.1/1.31.7/2.1IRF8301MDirectFET MT1921.3/1.51.9/2.4

IR的StrongIRFET系列同时提供采用了行业标准占位面积的PQFN封装器件和不含铅的环保封装，并符合电子产品有害物质管制规定 (RoHS) 。

产品现正接受批量订单。更多信息和Spice模型请浏览IR的站。