我國集成電路產業鏈建立相對完整積極追蹤新

我国集成电路产业链建立相对完全 积极追踪新材料技术步伐

集成电路是培养战略性新兴产业、发展信息经济的重要支持，在信息技术领域的核心地位十分突出改革开放后，我国加快集成电路产业建设，先后启动908工程、909工程等重大项目，集成电路业实现高速发展特别是党的10八大以来，我国集成电路产业实力得到快速提升中国集成电路产业销售额从2013年的2508.5亿元，增长到2017年的5411.3亿元，5年间增长了一倍2018年1—9月中国集成电路产业销售额为4461.5亿元，同比增长22.4%

IC设计龙头带动作用日益明显

IC设计是集成电路产业链的龙头，设计企业的发展直接影响着制造和封装等产业链上下游众多环节近几年来，我国IC设计业发展非常迅速中国半导体行业协会集成电路设计分会的数据显示，至2018年年底，全国共有1698家设计企业，比去年的1380家多了318家，数量增长了23%这是2016年设计企业数量大增600多家后，再次出现企业数量大增的情况

从统计数量上看，除北京、上海、深圳等传统设计企业聚集地外，无锡、成都、苏州、合肥等城市的设计企业数量都超过100家，西安、南京、厦门等城市的设计企业数量接近100家，天津、杭州、武汉、长沙等地的设计企业数量也有较大幅度的增加

IC设计企业数量增长的同时，范围以上企业也在增加据中国半导体行业协会集成电路设计分会理事长魏少军介绍，2018年预计有208家IC设计企业的销售额超过1亿元，比2017年的191家增加17家，增长8.9%同时，这208家销售过亿元的企业销售总和到达2057.64亿元，比上年的1771.49亿元增加了286.15亿元，占全行业销售总和的比例为79.85%

销售额是衡量一个行业发展状态的重要指标，我国IC设计业增速近年来一直保持两位数水平，且远高于国际平均水平，2018年一样保持这一态势，销售范围预计为2576.96亿元，比2017年的1945.98亿元增长32.42%，增速比上年的28.15%提高4.27个百分点依照美元与人民币1∶6.8的兑换率，全年销售额到达378.96亿美元，在全球集成电路设计业的占比将再次提高

从产品类型上看，我国企业在通讯芯片上的实力已逐步进入国际一线阵营紫光展锐已开发出5G原型PIlot-v2平台，将在2019年推出5G芯片，实现5G芯片的商用2018年从事通讯芯片设计的企业从2017年的266家增加到307家，对应的销售总额提升了16.34%，达到1046.75亿元

另外，计算机芯片与消费类芯片也有较强增长从事计算机芯片设计的企业数量从去年的85家增加到109家，销售大幅提升了180.18%，到达359.41亿元消费类电子的企业数量从上年的610家增加到783家，销售增长36.46%，达617.24亿元，继续保持了2017年的快速增长势头

建立了相对完整的产业链

设计的发展离不开晶圆制造、封测、设备、材料等产业链支撑，以往我国晶圆制造业技术距离国际先进水平约有二代左右的差距，装备、材料上的差距更大，但是经过这些年的追逐，已经有了较大幅度的提高

目前中国集成电路已构成了合适本身的技术体系，建立了相对完全的产业链，产业生态和竞争力得到完善和提升，形成了长三角、珠三角、津京环渤海和中西部地区多极发展的格局目前，已建成12英寸生产线10条，并有多条12英寸生产线处于建设当中，其中既包括中芯国际、华虹团体、武汉新芯等本土资本为主导的企业，也包括英特尔、三星、格芯、台积电外资或台资投资（独资或参股）的企业

在制造工艺方面，65纳米、40纳米、28纳米工艺已经量产，14纳米技术研发获得突破，特色工艺竞争力提高存储器是通用芯片之一，应用十分广泛我国在3D NAND技术研发上获得重大进展和创新，以自主知识产权为基础展开研发，提出新架构Xtacking这也是中国企业首次在集成电路领域提出重要的新架构和技术路径

封装业一直是国内实力较强的领域，近年来积极推进先进封装的发展，从中低端进入高端领域，竞争力大幅提升根据中国半导体行业协会封装分会统计数据，2017年国内集成电路封测业销售收入由2016年的1523.2亿元增加至1816.6亿元，同比增长19.3%，国内IC封测业规模企业为96家，从业人数达15.6万长电科技实现了高集成度和高精度SiP模组的大规模量产，通富微电率先实现7nm FC产品量产，华天科技开发了0.25mm超薄指纹封装工艺，实现了射频产品4G PA的量产

关键设备和材料则实现了从无到有的转变，整体水平达到28纳米，部份产品进入14纳米~7纳米，被国内外生产线采用近日，中微半导体自主研制的5纳米等离子体刻蚀机在通过台积电验证，性能优秀，将用于全球首条5纳米制程生产线中微半导体打入台积电供应链，证明国产半导体设备气力正在逐步壮大

在此之前，台积电7纳米芯片生产线也用上中微的刻蚀机目前，国内关键装备品种覆盖率到达31.1%，先进封装设备品种覆盖率80%

在材料方面，200mm硅片产品品质显著提升

，高品质抛光片、外延片开始进入市场300mm硅片产业化技术取得突破，90纳米~65纳米产品通过用户评估，开始批量销售测射耙材及超高纯金属材料取得整体性突破，构成相对完整的耙材产品体系铜和阻挡层抛光液国内市场占有率超过50%，并进入国际市场NF3、WF6等气体产业化技术达到世界领先，国内市占率超过70%，并进入国际市场磷烷、砷烷和安全离子源产品形成自主供应能力

积极追踪新材料技术步伐

新材料产业成为未来高新技术产业发展的先导和基石，其中，宽禁带半导体材料是新材料的代表之一党的十八大以来，我国掀起了宽禁带功率半导体材料和器件的产业化浪潮2016年12月，国务院成立了国家新材料产业发展领导小组近年来，在国内企业、科研院所、高等院校等共同的努力下，建成或正在建设十余条4英寸～6英寸碳化硅芯片工艺线和6英寸～8英寸硅基氮化镓芯片工艺线，形成了技术积累，缩小了与国外先进水平的差距

我国碳化硅外延材料的研发和产业化水平牢牢跟随国际水平，产品已打入国际市场在产业化方面，我国20μm及以下的碳化硅外延材料产品水平接近国际先进水平;在碳化硅功率器件上，我国具有了1200V～3300V SiC Mosfet、1200V～4500V SiC JFET等芯片的研发能力，最大单芯片电流容量25A目前国内有多家企业建成或正在建设多条碳化硅芯片工艺线，这些工艺线的投产，将会大大提升国内碳化硅功率器件的产业化水平

硅基氮化镓材料本钱优势显著，易于取得大尺寸、导热性好，而且器件制备可以有效兼容传统硅集成电路CMOS工艺，是目前工业界普遍采取的技术路线我国在平面型氮化镓功率器件领域的发展紧跟国际步伐，晶圆尺寸以6英寸为主，并开发出了900V及以下电压等级的硅基氮化镓器件样品

近年来，国内也开始了垂直氮化镓功率器件的研发，开发了最高阻断电压1700V的氮化镓二极管样品我国氮化镓射频器件近年来取得迅速发展，并已形成产业化公司，器件性能达到国际先进水平

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