InSense有望顛覆慣性MEMS產業格

InSense有望颠覆惯性MEMS产业格局

InSense即将问世的10轴单芯片惯性（运动）MEMS传感器，包括3轴加速度计+3轴陀螺仪+3轴地磁+压力传感器据麦姆斯咨询报道，InSense（盈感电子科技）是一家总部位于美国硅谷的MEMS创业公司，专注于加速度计、陀螺仪等新一代惯性MEMS传感器的开发和量产

InSense创始人源自美国斯坦福大学和英特尔（INTEL），在MEMS器件和工艺开发方面深耕多年InSense的MEMS技术具有颠覆现有惯性传感器产品的创新性，相比传统硅MEMS器件在性能上有极大地提高，同时成本获得了大幅降低

其早期MEMS传感器原型产品在斯坦福MEMS纳米制造实验室开发目前，InSense已经获得了三家机构的风险投资，投资方包括New Enterprise Associates（全球第一大VC）、Walden International（华登国际）和斯坦福基金现在，MEMS器件已经广泛应用于消费类电子产品和汽车产业市场对于集成多用元件的需求正在高速增长，分立式MEMS器件市场开始放缓在组合式MEMS应用中，多个MEMS器件被集成于单个芯片，例如多自由度惯性传感器，这些微机械加工的MEMS结构（比如加速度计、陀螺仪以及磁力计）全部集成在同一个封装体内,以获得更小的器件尺寸、更低的成本以及更低的功耗，因此，这些对单芯片集成提出了新的要求然而，目前上述惯性传感器芯片集成通常以混合方式实现，其中含有多颗MEMS芯片和Asic芯片，这些芯片单独制造并组装以形成所需的产品

由于集成是在器件级而非晶圆级上进行，这种方案的相关成本通常很高此外，由于需要许多层布线和键合，因而使得器件整体尺寸较大这些瓶颈可以由在CMOS衬底上直接制造MEMS器件来解决不过，硅是目前制造MEMS 器件的主要材料，其沉积与CMOS衬底的所需热预算（thermal budget）不兼容，CMOS衬底无法承受任何高于450℃的工艺温度InSense的专利技术通过使用电镀铜（electroplated copper，e-Cu）作为结构材料，在低于 450℃下直接沉积在ASIC互连层上形成MEMS结构，以单片方式提供了晶圆级集成随后的微制造步骤限定固定到金属互连体的MEMS器件，从而提供直接电气接触使用目前用于ASIC金属互连的e-Cu作为结构材料，可以实现更容易的布线，得益于铜的高密度可以实现优化的机械结构和更小的尺寸并且由于不需要晶圆键合，因此器件成本更低，可以在单个芯片上集成多个传感器此外，更小的寄生效应，可以提供低噪声和更高的性能

InSense发明专利中的一个实施例，通过ASIC互连层上的直接工艺在CMOS衬底上进行直接制造InSense这项技术曾于2016年获得美国国家科学基金会（NSF）给予的749,942美元项目（SBIR）支持，该项目已经进入第二阶段从NSF官方给出的信息看到，该项目的首席调查员（Principal Investigator）是InSense董事长兼首席执行官（CEO）：Noureddine Tayebi

InSense获得美国国家科学基金会的项目支持

InSense董事长兼首席执行官Noureddine TayebiInSense为其创新技术在美国、欧洲和中国都申请了发明专利，其专利技术有望颠覆目前的惯性MEMS产业格局InSense近日展示的10轴单芯片惯性（运动）MEMS传感器（3轴加速度计+3轴陀螺仪+3轴地磁+压力传感器）目前正在专业代工厂调试，预计将于2019年问世，让我们一起拭目以待